锚定“芯”赛道 共筑产业新生态 山西省第三代半导体产业链发展推进会圆满落幕

锚定“芯”赛道 共筑产业新生态

山西省第三代半导体产业链发展推进会圆满落幕

2025年11月19日，由山西省科技厅组织的“山西省第三代半导体产业链发展推进会”在太原第一实验室顺利召开，12家链上企业代表参加此次会议。第三代半导体产业是山西省培育新质生产力、推动资源型经济转型的核心抓手，也是省级16条重点产业链之一。本次会议以“强链补链延链 激活创新动能”为主题，汇聚省内产业链“链主”—“链核”—“链上”企业、科研机构等相关单位代表，通过政策解读、成果分享、需求对接构建政企研用协同发展的高效沟通平台。

会议开始前，全体参会人员实地参观山西北大碳基薄膜电子研究院科研实验室、小试生产线及成果展示区。研究院院长梁学磊教授详细介绍了碳基薄膜材料制备工艺和核心器件封装测试流程，从实验室技术攻关突破到产业化应用示范案例，全方位展现了研究院在未来半导体领域的科研积淀与创新实力，让参会代表直观感受碳基集成电路从原煤材料到芯片应用的产业发展基础，为后续合作搭建桥梁。

随后的工作推进会议由省科技厅半导体与新材料处李大赵处长主持，李处长率先解读国家及我省产业扶持政策，重点阐释《山西省重点产业链能级跃升2025年行动计划》核心要求。他指出，2025年是第三代半导体产业从技术验证迈向规模化商用的关键之年，山西已形成“3家链主企业+多家链核企业”的发展格局，需牢牢把握转型综改示范区政策红利，聚焦碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等核心方向，加快构建全产业链生态。他强调，省科技厅将持续通过“揭榜挂帅”、“重点研发计划”等机制，支持核心技术攻关，同时联动相关部门落实惠企政策，简化申报流程，为产业发展注入政策动力。

政策解读后，由山西北大碳基薄膜电子研究院院长助理曹宇副研究员进行“高纯度半导体碳纳米管制备和应用”专项技术汇报。汇报围绕高纯度碳纳米管的核心制备工艺、关键性能指标突破及多元化应用场景拓展展开，详细阐述了高纯度半导体碳纳米管材料技术及其在逻辑芯片、显示驱动中的应用前景，其成果与产业链上下游的材料需求、器件制造需求高度契合，为山西省第三代半导体产业补充了关键材料领域的创新拼图，进一步完善了“材料—设备—芯片—应用”的产业技术链条。

会上，产业链“链主”企业代表分享了最新发展成果。中国电子科技集团公司第二研究所技术基础部张蕾部长介绍了国家第三代半导体技术创新中心（山西）在第一建设期基础上，2025年度完成科技部评估，并持续开展第三代半导体材料核心关键装备技术攻关，推动成果转化，促进实体公司良性发展。

山西烁科晶体有限公司科技发展部靳霄曦经理详细介绍了年产100万毫米碳化硅单晶项目推进情况；公司突破大尺寸碳化硅单晶衬底的产业化技术，8英寸产品年产量由15000片提升至40000片，月订单量5000片，远超供应能力；12英寸碳化硅衬底实现小批量生产，与多家下游单位开展AR光波导验证。

山西高科华烨电子集团有限公司鲍海鹏主任指出，公司将主动融入全省推进高质量发展、加快第三代半导体产业链升级等工作大局，在各级政府和职能部门的支持下，立足现有产业基础，不断延链补链强链，打造全国LED产业集聚发展高地、国际LED显示制造之都。

参会产业链“链核”和“链上”企业也一一进行了成果汇报。

在交流研讨环节，参会代表围绕产业链发展痛点、技术攻关方向、市场合作需求展开深度沟通。企业代表普遍反映，当前产业发展面临高端人才引育、供应链协同等共性问题，希望通过“政府搭台、企业主导、科研支撑”的模式，组建联合攻关团队，突破衬底大尺寸化、外延良率提升等“卡脖子”技术。山西北大碳基薄膜电子研究院针对企业技术需求，介绍了产学研协同创新平台的技术服务能力与合作模式，为企业解决技术瓶颈提供了新路径。

最后，李处长总结发言，会议明确下一阶段三项重点工作：一是强化创新驱动，聚焦智能电网输配电用碳化硅单晶及外延制备等核心技术，凝练省科技重大专项，加速国产化替代进程；二是壮大产业生态，发挥中电科二所、烁科晶体等“链主”企业引领作用，培育新增“链核”及“链上”企业，推动产业集群化发展；三是优化要素保障，深化政企对接，落实产业高质量发展基金扶持政策，完善人才引育机制，为产业发展营造优质环境。

此次推进会的召开，进一步巩固了我省第三代半导体产业链“创新协同、抱团发展”的产业共识。山西将以此次会议为契机，持续深化产学研用融合，加快构建具有核心竞争力的第三代半导体产业体系，让产业成为支撑全省经济转型的新增长极，为打造国内领先的半导体材料产业基地奠定坚实基础。